Kapasitor snubber IGBT film metalisasi

Deskripsi Singkat:

1. Kotak plastik, disegel dengan resin;

2. Sisipan tembaga berlapis timah pada kabel, memudahkan pemasangan IGBT;

3. Tahan terhadap tegangan tinggi, tgδ rendah, kenaikan suhu rendah;

4. ESL dan ESR rendah;

5. Arus pulsa tinggi.

Kirim email kepada kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Seri SMJ-P

Dalam aplikasi elektronika daya, kapasitor snubber dihubungkan ke titik switching arus besar dengan tujuan mengurangi induktansi parasitik dari kabel listrik.

Induktansi parasit menyebabkan lonjakan besar saat pemutusan daya (ketika arus diblokir), dan jika lonjakan tersebut melebihi nilai komponen, ada kekhawatiran akan terjadinya kegagalan dalam kasus terburuk.

Dengan memanfaatkan konstruksi internal induktansi rendah, casing resin cetakan opsional, dan terminasi yang disesuaikan, Seri SMJ-P dirancang untuk IGBT switching cepat dan dapat berfungsi sebagai snubber dan filter input frekuensi tinggi arus tinggi.

Data teknis

Voltase	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Dimensi (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326.4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	tahun 1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	tahun 1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	tahun 1600	33
Voltase	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Dimensi (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	tahun 1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	tahun 1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	tahun 1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	Tahun 2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	Tahun 1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32
Voltase	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	tahun 1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	tahun 1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	tahun 1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	tahun 1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	tahun 1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	Tahun 1974	32
Voltase	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	tahun 1800	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	tahun 1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	Tahun 2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	Tahun 1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	tahun 1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	tahun 1800	32
Voltase	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	tahun 1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	tahun 1540	32
Voltase	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	Tahun 2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	tahun 1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	tahun 1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28